IRFU220BTU-AM002 - ON Semiconductor

Numero di parte	IRFU220BTU-AM002
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	4.6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	800 mOhm @ 2.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	16nC @ 10V
Vgs (massimo)	±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	390pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2.5W (Ta), 40W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	I-PAK
Pacchetto / caso	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
IRFU220	IR	IRFU220 IR TO-251 New Original Stocks	Dettagli
IRFU220ATU	FAIRCHILDSEMICONDUCTORHKLTD	IRFU220ATU FAIRCHILDSEMICONDUCTORHKLTD SMD or Through Hole New Original Stocks	Dettagli
IRFU220BTU-AM002	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 200V 4.6A IPAK	Dettagli
IRFU220BTU_AM002	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 200V 4.6A IPAK	Dettagli
IRFU220BTU_F080	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 200V 4.6A IPAK	Dettagli
IRFU220BTU_FP001	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 200V 4.6A IPAK	Dettagli
IRFU220N	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 200V 5A I-PAK	Dettagli
IRFU220N/IRFU220NPBF	IR	IRFU220N/IRFU220NPBF IR T0S251 New Original Stocks	Dettagli
IRFU220NPBF	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 200V 5A I-PAK	Dettagli
IRFU220PBF	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 200V 4.8A I-PAK	Dettagli