IRFU220BTU-AM002 - ON Semiconductor

Artikelnummer	IRFU220BTU-AM002
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	200V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	4.6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	800 mOhm @ 2.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	16nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	390pF @ 25V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	2.5W (Ta), 40W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	I-PAK
Paket / Fall	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
IRFU220	IR	IRFU220 IR TO-251 New Original Stocks	Einzelheiten
IRFU220ATU	FAIRCHILDSEMICONDUCTORHKLTD	IRFU220ATU FAIRCHILDSEMICONDUCTORHKLTD SMD or Through Hole New Original Stocks	Einzelheiten
IRFU220BTU-AM002	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 200V 4.6A IPAK	Einzelheiten
IRFU220BTU_AM002	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 200V 4.6A IPAK	Einzelheiten
IRFU220BTU_F080	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 200V 4.6A IPAK	Einzelheiten
IRFU220BTU_FP001	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 200V 4.6A IPAK	Einzelheiten
IRFU220N	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 200V 5A I-PAK	Einzelheiten
IRFU220N/IRFU220NPBF	IR	IRFU220N/IRFU220NPBF IR T0S251 New Original Stocks	Einzelheiten
IRFU220NPBF	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 200V 5A I-PAK	Einzelheiten
IRFU220PBF	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 200V 4.8A I-PAK	Einzelheiten