IRFU220BTU_F080

IRFU220BTU_F080 - Fairchild/ON Semiconductor

Numero di parte
IRFU220BTU_F080
fabbricante
Fairchild/ON Semiconductor
Breve descrizione
MOSFET N-CH 200V 4.6A IPAK
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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IRFU220BTU_F080 Descrizione dettagliata

Numero di parte IRFU220BTU_F080
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4.6A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 390pF @ 25V
Vgs (massimo) ±30V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 800 mOhm @ 2.3A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore I-Pak
Pacchetto / caso TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Peso -
Paese d'origine -

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