IRFU214BTU_FP001 - Fairchild/ON Semiconductor

Numero di parte	IRFU214BTU_FP001
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	250V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	2.2A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	10.5nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	275pF @ 25V
Vgs (massimo)	±30V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2.5W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2 Ohm @ 1.1A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	I-Pak
Pacchetto / caso	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
IRFU210	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 200V 2.6A I-PAK	Dettagli
IRFU2108	FAIRCHIL	IRFU2108 FAIRCHIL TO-251 New Original Stocks	Dettagli
IRFU210B	FSC	IRFU210B FSC TO-251 New Original Stocks	Dettagli
IRFU210PBF	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 200V 2.6A I-PAK	Dettagli
IRFU214	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 250V 2.2A I-PAK	Dettagli
IRFU214B	FAIRCHILD	IRFU214B FAIRCHILD TO-251 New Original Stocks	Dettagli
IRFU214BTU_AM002	FAIRCHILDSEMICONDUCTORHKLTD	IRFU214BTU_AM002 FAIRCHILDSEMICONDUCTORHKLTD SMD or Through Hole New Original Stocks	Dettagli
IRFU214BTU_FP001	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 250V 2.2A IPAK	Dettagli
IRFU214PBF	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 250V 2.2A I-PAK	Dettagli