IRFU214PBF - Vishay Siliconix

Numero di parte	IRFU214PBF
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	250V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	2.2A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	8.2nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	140pF @ 25V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2.5W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2 Ohm @ 1.3A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-251AA
Pacchetto / caso	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
IRFU010	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 50V 8.2A I-PAK	Dettagli
IRFU014	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 60V 7.7A I-PAK	Dettagli
IRFU014PBF	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 60V 7.7A I-PAK	Dettagli
IRFU020	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 60V 14A I-PAK	Dettagli
IRFU020PBF	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 60V 14A I-PAK	Dettagli
IRFU024	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 60V 14A I-PAK	Dettagli
IRFU024NPBF	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 55V 17A I-PAK	Dettagli
IRFU024NPBF/IRFU024PBF	IR	IRFU024NPBF/IRFU024PBF IR TO-251 New Original Stocks	Dettagli
IRFU024PBF	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 60V 14A I-PAK	Dettagli
IRFU1010Z	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 55V 42A I-PAK	Dettagli