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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - FET, MOSFET - Singoli › IRFU1010Z
IRFU1010Z

IRFU1010Z - Infineon Technologies

Numero di parte
IRFU1010Z
fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
MOSFET N-CH 55V 42A I-PAK
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
IRFU1010Z Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
IRFU1010Z.pdf
Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
3507 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0/pcs
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IRFU1010Z Descrizione dettagliata

Numero di parte IRFU1010Z
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 42A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 95nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2840pF @ 25V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5 mOhm @ 42A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore IPAK (TO-251)
Pacchetto / caso TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Peso -
Paese d'origine -

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