ECH8601M-TL-H - ON Semiconductor

Numero di parte	ECH8601M-TL-H
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	2 N-Channel (Dual) Common Drain
Caratteristica FET	Logic Level Gate, 2.5V Drive
Drain to Source Voltage (Vdss)	24V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	23 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	7.5nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	-
Potenza - Max	-
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	8-SMD, Flat Lead
Pacchetto dispositivo fornitore	8-ECH
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
ECH8601-TL	SANYO	ECH8601-TL SANYO T-8 New Original Stocks	Dettagli
ECH8601-TL-E	SANYO	ECH8601-TL-E SANYO ECH-8 New Original Stocks	Dettagli
ECH8601M	ORIGINAL	ECH8601M ORIGINAL TSSOP-.. New Original Stocks	Dettagli
ECH8601M-C-TL-H	ON Semiconductor	MOSFET 2N-CH 24V 8A ECH8	Dettagli
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ECH8601M-TL-H	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 24V 8A ECH8	Dettagli
ECH8601M-TL-H-P	ON Semiconductor	MOSFET 2N-CH	Dettagli
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