ECH8601M-TL-H - ON Semiconductor

Numéro d'article	ECH8601M-TL-H
État de la pièce	Obsolete
FET Type	2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET Caractéristique	Logic Level Gate, 2.5V Drive
Drain à la tension de source (Vdss)	24V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	23 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.3V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	7.5nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	-
Puissance - Max	-
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	8-SMD, Flat Lead
Package de périphérique fournisseur	8-ECH
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
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