ECH8601M-TL-H - ON Semiconductor

Artikelnummer	ECH8601M-TL-H
Teilstatus	Obsolete
FET Typ	2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET-Eigenschaft	Logic Level Gate, 2.5V Drive
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	24V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	8A (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	23 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.3V @ 1mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	7.5nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	-
Leistung max	-
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	8-SMD, Flat Lead
Lieferantengerätepaket	8-ECH
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
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