PMV40UN,215 - NXP USA Inc.

Numero di parte	PMV40UN,215
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	4.9A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	700mV @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	9.3nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	445pF @ 30V
Vgs (massimo)	±8V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1.9W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	47 mOhm @ 2A, 4.5V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-236AB (SOT23)
Pacchetto / caso	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
PMV40UN	NXP	PMV40UN NXP SOT-23 New Original Stocks	Dettagli
PMV40UN,215	NXP USA Inc.	MOSFET N-CH 30V 4.9A SOT-23	Dettagli
PMV40UN2R	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT23	Dettagli
PMV42ENER	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 30V TO-236AB	Dettagli
PMV450ENEAR	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 60V TO-236AB	Dettagli
PMV45EN	NXP	PMV45EN NXP SOT-23 New Original Stocks	Dettagli
PMV45EN,215	NXP USA Inc.	MOSFET N-CH 30V 5.4A SOT-23	Dettagli
PMV45EN2R	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 30V SOT23	Dettagli
PMV45EN2VL	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 30V 5.1A TO236AB	Dettagli
PMV48XP	ORIGINAL	PMV48XP ORIGINAL SOT23 New Original Stocks	Dettagli