PMV40UN,215 - NXP USA Inc.

Artikelnummer	PMV40UN,215
Teilstatus	Obsolete
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	4.9A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	700mV @ 1mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	9.3nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	445pF @ 30V
Vgs (Max)	±8V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	1.9W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	47 mOhm @ 2A, 4.5V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	TO-236AB (SOT23)
Paket / Fall	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
PMV40UN	NXP	PMV40UN NXP SOT-23 New Original Stocks	Einzelheiten
PMV40UN,215	NXP USA Inc.	MOSFET N-CH 30V 4.9A SOT-23	Einzelheiten
PMV40UN2R	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT23	Einzelheiten
PMV42ENER	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 30V TO-236AB	Einzelheiten
PMV450ENEAR	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 60V TO-236AB	Einzelheiten
PMV45EN	NXP	PMV45EN NXP SOT-23 New Original Stocks	Einzelheiten
PMV45EN,215	NXP USA Inc.	MOSFET N-CH 30V 5.4A SOT-23	Einzelheiten
PMV45EN2R	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 30V SOT23	Einzelheiten
PMV45EN2VL	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 30V 5.1A TO236AB	Einzelheiten
PMV48XP	ORIGINAL	PMV48XP ORIGINAL SOT23 New Original Stocks	Einzelheiten