PMV45EN2VL - Nexperia USA Inc.

Artikelnummer	PMV45EN2VL
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	5.1A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	42 mOhm @ 4.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	6.3nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	209pF @ 15V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	510mW (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	TO-236AB
Paket / Fall	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
PMV40UN	NXP	PMV40UN NXP SOT-23 New Original Stocks	Einzelheiten
PMV40UN,215	NXP USA Inc.	MOSFET N-CH 30V 4.9A SOT-23	Einzelheiten
PMV40UN2R	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT23	Einzelheiten
PMV42ENER	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 30V TO-236AB	Einzelheiten
PMV450ENEAR	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 60V TO-236AB	Einzelheiten
PMV45EN	NXP	PMV45EN NXP SOT-23 New Original Stocks	Einzelheiten
PMV45EN,215	NXP USA Inc.	MOSFET N-CH 30V 5.4A SOT-23	Einzelheiten
PMV45EN2R	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 30V SOT23	Einzelheiten
PMV45EN2VL	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 30V 5.1A TO236AB	Einzelheiten
PMV48XP	ORIGINAL	PMV48XP ORIGINAL SOT23 New Original Stocks	Einzelheiten