PMV45EN2VL - Nexperia USA Inc.

Numero di parte	PMV45EN2VL
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	5.1A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	42 mOhm @ 4.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	6.3nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	209pF @ 15V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	510mW (Ta)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-236AB
Pacchetto / caso	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
PMV40UN	NXP	PMV40UN NXP SOT-23 New Original Stocks	Dettagli
PMV40UN,215	NXP USA Inc.	MOSFET N-CH 30V 4.9A SOT-23	Dettagli
PMV40UN2R	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT23	Dettagli
PMV42ENER	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 30V TO-236AB	Dettagli
PMV450ENEAR	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 60V TO-236AB	Dettagli
PMV45EN	NXP	PMV45EN NXP SOT-23 New Original Stocks	Dettagli
PMV45EN,215	NXP USA Inc.	MOSFET N-CH 30V 5.4A SOT-23	Dettagli
PMV45EN2R	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 30V SOT23	Dettagli
PMV45EN2VL	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 30V 5.1A TO236AB	Dettagli
PMV48XP	ORIGINAL	PMV48XP ORIGINAL SOT23 New Original Stocks	Dettagli