PMV45EN2VL Descrizione dettagliata
Numero di parte |
PMV45EN2VL |
Stato parte |
Active |
Tipo FET |
N-Channel |
Tecnologia |
MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) |
30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C |
5.1A (Ta) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) |
4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs |
42 mOhm @ 4.1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs |
6.3nC @ 10V |
Vgs (massimo) |
±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds |
209pF @ 15V |
Caratteristica FET |
- |
Dissipazione di potenza (max) |
510mW (Ta) |
temperatura di esercizio |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio |
Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore |
TO-236AB |
Pacchetto / caso |
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Peso |
- |
Paese d'origine |
- |
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