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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli, pre-polarizzati › PDTD123TS,126
PDTD123TS,126

PDTD123TS,126 - NXP USA Inc.

Numero di parte
PDTD123TS,126
fabbricante
NXP USA Inc.
Breve descrizione
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
PDTD123TS,126 Navigazione online PDF
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PDTD123TS,126.pdf
Categoria
Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli, pre-polarizzati
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
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4247 pcs
Prezzo di riferimento
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PDTD123TS,126 Descrizione dettagliata

Numero di parte PDTD123TS,126
Stato parte Obsolete
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Corrente - Collector (Ic) (Max) 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Resistore - Base (R1) (Ohm) 2.2k
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohm) -
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 50mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA
Corrente - Limite del collettore (max) 500nA
Frequenza - Transizione -
Potenza - Max 500mW
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto / caso TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Pacchetto dispositivo fornitore TO-92-3
Peso -
Paese d'origine -

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