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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, prépolarisés › PDTD123TS,126
PDTD123TS,126

PDTD123TS,126 - NXP USA Inc.

Numéro d'article
PDTD123TS,126
Fabricant
NXP USA Inc.
Brève description
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
PDTD123TS,126 Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
PDTD123TS,126.pdf
Catégorie
Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, prépolarisés
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
3697 pcs
Prix ​​de référence
USD 0/pcs
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PDTD123TS,126 Description détaillée

Numéro d'article PDTD123TS,126
État de la pièce Obsolete
Type de transistor NPN - Pre-Biased
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 500mA
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 50V
Résistance - Base (R1) (Ohms) 2.2k
Résistance - Base de l'émetteur (R2) (Ohms) -
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 50mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA
Courant - Coupure du collecteur (Max) 500nA
Fréquence - Transition -
Puissance - Max 500mW
Type de montage Through Hole
Paquet / cas TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Package de périphérique fournisseur TO-92-3
Poids -
Pays d'origine -

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