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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli, pre-polarizzati › PDTD113ET,215
PDTD113ET,215

PDTD113ET,215 - Nexperia USA Inc.

Numero di parte
PDTD113ET,215
fabbricante
Nexperia USA Inc.
Breve descrizione
TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
PDTD113ET,215 Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
PDTD113ET,215.pdf
Categoria
Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli, pre-polarizzati
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
405039 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0.063/pcs
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PDTD113ET,215 Descrizione dettagliata

Numero di parte PDTD113ET,215
Stato parte Active
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Corrente - Collector (Ic) (Max) 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Resistore - Base (R1) (Ohm) 1k
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohm) 1k
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 33 @ 50mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA
Corrente - Limite del collettore (max) 500nA
Frequenza - Transizione -
Potenza - Max 250mW
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitore TO-236AB (SOT23)
Peso -
Paese d'origine -

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