PMZB670UPE,315 - Nexperia USA Inc.

Numero di parte	PMZB670UPE,315
Stato parte	Active
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	680mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	1.14nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	87pF @ 10V
Vgs (massimo)	±8V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	850 mOhm @ 400mA, 4.5V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	3-DFN1006B (0.6x1)
Pacchetto / caso	3-XFDFN
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
PMZB600UNELYL	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 20V 600MA 3DFN1006B	Dettagli
PMZB600UNEYL	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 20V 3QFN	Dettagli
PMZB670UPE,315	Nexperia USA Inc.	MOSFET P-CH 20V 680MA DFN1006B-3	Dettagli