PMZB670UPE,315 - Nexperia USA Inc.

Número de pieza: PMZB670UPE,315
Fabricante: Nexperia USA Inc.
Breve descripción: MOSFET P-CH 20V 680MA DFN1006B-3
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Código de fecha: New
Cantidad de stock: 301769 pcs
Precio de referencia: USD 0.0876/pcs
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Número de pieza	PMZB670UPE,315
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	P-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	680mA (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.3V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	1.14nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	87pF @ 10V
Vgs (Max)	±8V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	850 mOhm @ 400mA, 4.5V
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	3-DFN1006B (0.6x1)
Paquete / caja	3-XFDFN
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
PMZB600UNELYL	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 20V 600MA 3DFN1006B	Detalles
PMZB600UNEYL	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 20V 3QFN	Detalles
PMZB670UPE,315	Nexperia USA Inc.	MOSFET P-CH 20V 680MA DFN1006B-3	Detalles