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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - FET, MOSFET - Singoli › PMZB600UNEYL
PMZB600UNEYL

PMZB600UNEYL - Nexperia USA Inc.

Numero di parte
PMZB600UNEYL
fabbricante
Nexperia USA Inc.
Breve descrizione
MOSFET N-CH 20V 3QFN
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
PMZB600UNEYL Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
PMZB600UNEYL.pdf
Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
25000 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0.1029/pcs
Il nostro prezzo
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PMZB600UNEYL Descrizione dettagliata

Numero di parte PMZB600UNEYL
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 600mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 1.2V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 950mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.7nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 21.3pF @ 10V
Vgs (massimo) ±8V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 620 mOhm @ 600mA, 4.5V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore DFN1006B-3
Pacchetto / caso 3-XFDFN
Peso -
Paese d'origine -

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