PHD101NQ03LT,118 - Nexperia USA Inc.

Numero di parte	PHD101NQ03LT,118
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	75A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	23nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2180pF @ 25V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	166W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.5 mOhm @ 25A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	DPAK
Pacchetto / caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso	-
Paese d'origine	-

Immagine	Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
	PHD101NQ03LT	PHILIPS	PHD101NQ03LT PHILIPS SOT428.. New Original Stocks	Dettagli
	PHD101NQ03LT,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 30V 75A DPAK	Dettagli