PHD101NQ03LT,118 - Nexperia USA Inc.

Numéro d'article	PHD101NQ03LT,118
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	75A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	23nC @ 5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2180pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	166W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.5 mOhm @ 25A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	DPAK
Paquet / cas	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Poids	-
Pays d'origine	-

Image	Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
	PHD101NQ03LT	PHILIPS	PHD101NQ03LT PHILIPS SOT428.. New Original Stocks	Détails
	PHD101NQ03LT,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 30V 75A DPAK	Détails