NX3008NBK,215 - Nexperia USA Inc.

Numero di parte	NX3008NBK,215
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	400mA (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	0.68nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	50pF @ 15V
Vgs (massimo)	±8V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	350mW (Ta), 1.14W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.4 Ohm @ 350mA, 4.5V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-236AB (SOT23)
Pacchetto / caso	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
NX3008CBKS,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET N/P-CH 30V 6TSSOP	Dettagli
NX3008CBKV,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET N/P-CH 30V SOT666	Dettagli
NX3008NBK,215	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 30V TO-236AB	Dettagli
NX3008NBKMB,315	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 30V 530MA 3DFN	Dettagli
NX3008NBKS,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET 2N-CH 30V 0.35A 6TSSOP	Dettagli
NX3008NBKSH	Nexperia USA Inc.	NX3008NBKS/SC-88/REEL 7" Q3/T4	Dettagli
NX3008NBKT,115	NXP USA Inc.	MOSFET N-CH 30V SC-75	Dettagli
NX3008NBKV,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT666	Dettagli
NX3008NBKVL	Nexperia USA Inc.	NX3008NBK/SOT23/TO-236AB	Dettagli
NX3008NBKW,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 30V SOT323	Dettagli