NX3008NBKV,115 - Nexperia USA Inc.

Numero di parte	NX3008NBKV,115
Stato parte	Active
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	400mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.4 Ohm @ 350mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	0.68nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	50pF @ 15V
Potenza - Max	500mW
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	SOT-563, SOT-666
Pacchetto dispositivo fornitore	SOT-666
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
NX3008CBKS,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET N/P-CH 30V 6TSSOP	Dettagli
NX3008CBKV,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET N/P-CH 30V SOT666	Dettagli
NX3008NBK,215	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 30V TO-236AB	Dettagli
NX3008NBKMB,315	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 30V 530MA 3DFN	Dettagli
NX3008NBKS,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET 2N-CH 30V 0.35A 6TSSOP	Dettagli
NX3008NBKSH	Nexperia USA Inc.	NX3008NBKS/SC-88/REEL 7" Q3/T4	Dettagli
NX3008NBKT,115	NXP USA Inc.	MOSFET N-CH 30V SC-75	Dettagli
NX3008NBKV,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT666	Dettagli
NX3008NBKVL	Nexperia USA Inc.	NX3008NBK/SOT23/TO-236AB	Dettagli
NX3008NBKW,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 30V SOT323	Dettagli