NX3008NBK,215 - Nexperia USA Inc.

Artikelnummer	NX3008NBK,215
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	400mA (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.1V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	0.68nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	50pF @ 15V
Vgs (Max)	±8V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	350mW (Ta), 1.14W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	1.4 Ohm @ 350mA, 4.5V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	TO-236AB (SOT23)
Paket / Fall	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
NX3008CBKS,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET N/P-CH 30V 6TSSOP	Einzelheiten
NX3008CBKV,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET N/P-CH 30V SOT666	Einzelheiten
NX3008NBK,215	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 30V TO-236AB	Einzelheiten
NX3008NBKMB,315	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 30V 530MA 3DFN	Einzelheiten
NX3008NBKS,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET 2N-CH 30V 0.35A 6TSSOP	Einzelheiten
NX3008NBKSH	Nexperia USA Inc.	NX3008NBKS/SC-88/REEL 7" Q3/T4	Einzelheiten
NX3008NBKT,115	NXP USA Inc.	MOSFET N-CH 30V SC-75	Einzelheiten
NX3008NBKV,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT666	Einzelheiten
NX3008NBKVL	Nexperia USA Inc.	NX3008NBK/SOT23/TO-236AB	Einzelheiten
NX3008NBKW,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 30V SOT323	Einzelheiten