| Numero di parte | JAN1N6123US |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| genere | Zener |
| Canali unidirezionali | - |
| Canali bidirezionali | 1 |
| Voltage - Reverse Standoff (Typ) | 38.8V |
| Voltage - Breakdown (Min) | 46.08V |
| Voltage - Clamping (Max) @ Ipp | 73.61V |
| Corrente - Impulso di picco (10 / 1000μs) | 6.75A |
| Potenza - Peak Pulse | 500W |
| Protezione della linea di alimentazione | No |
| applicazioni | General Purpose |
| Capacità @ frequenza | - |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | SQ-MELF, B |
| Pacchetto dispositivo fornitore | B, SQ-MELF |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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JAN1N1184 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB | Dettagli |
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JAN1N1186 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 35A DO203AB | Dettagli |
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JAN1N1186R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 35A DO203AB | Dettagli |
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JAN1N1188 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 35A DO5 | Dettagli |
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JAN1N1188R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB | Dettagli |
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JAN1N1190 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB | Dettagli |
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JAN1N1190R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB | Dettagli |
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JAN1N1202A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | Dettagli |
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JAN1N1202AR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | Dettagli |
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JAN1N1204A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA | Dettagli |
