| Numéro d'article | JAN1N6123US |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| Type | Zener |
| Canaux unidirectionnels | - |
| Canaux bidirectionnels | 1 |
| Tension - Inverser l'écart (Typ) | 38.8V |
| Tension - Panne (Min) | 46.08V |
| Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 73.61V |
| Courant - Impulsion de crête (10 / 1000μs) | 6.75A |
| Puissance - Impulsion de crête | 500W |
| Protection de ligne électrique | No |
| Applications | General Purpose |
| Capacité @ Fréquence | - |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / cas | SQ-MELF, B |
| Package de périphérique fournisseur | B, SQ-MELF |
| Poids | - |
| Pays d'origine | - |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | Vue |
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JAN1N1184 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB | Détails |
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JAN1N1186 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 35A DO203AB | Détails |
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JAN1N1186R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 35A DO203AB | Détails |
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JAN1N1188 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 35A DO5 | Détails |
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JAN1N1188R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB | Détails |
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JAN1N1190 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB | Détails |
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JAN1N1190R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB | Détails |
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JAN1N1202A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | Détails |
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JAN1N1202AR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | Détails |
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JAN1N1204A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA | Détails |
