| Artikelnummer | JAN1N6123US |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Art | Zener |
| Unidirektionale Kanäle | - |
| Bidirektionale Kanäle | 1 |
| Spannung - Reverse Standoff (Typ) | 38.8V |
| Spannung - Ausfall (Min.) | 46.08V |
| Spannung - Spannung (Max) @ Ipp | 73.61V |
| Strom - Spitzenpuls (10 / 1000μs) | 6.75A |
| Leistung - Spitzenpuls | 500W |
| Stromleitungsschutz | No |
| Anwendungen | General Purpose |
| Kapazität @ Frequenz | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | SQ-MELF, B |
| Lieferantengerätepaket | B, SQ-MELF |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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JAN1N1184 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB | Einzelheiten |
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JAN1N1186 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 35A DO203AB | Einzelheiten |
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JAN1N1186R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 35A DO203AB | Einzelheiten |
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JAN1N1188 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 35A DO5 | Einzelheiten |
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JAN1N1188R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB | Einzelheiten |
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JAN1N1190 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB | Einzelheiten |
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JAN1N1190R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB | Einzelheiten |
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JAN1N1202A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | Einzelheiten |
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JAN1N1202AR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | Einzelheiten |
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JAN1N1204A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA | Einzelheiten |
