APTML202UM18R010T3AG

APTML202UM18R010T3AG - Microsemi Corporation

Numero di parte
APTML202UM18R010T3AG
fabbricante
Microsemi Corporation
Breve descrizione
MOSFET 2N-CH 200V 109A SP3
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Array
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1 Day
Codice data
New
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415 pcs
Prezzo di riferimento
USD 64.16/pcs
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APTML202UM18R010T3AG Descrizione dettagliata

Numero di parte APTML202UM18R010T3AG
Stato parte Active
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 109A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 19 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 2.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 9880pF @ 25V
Potenza - Max 480W
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto / caso SP3
Pacchetto dispositivo fornitore SP3
Peso -
Paese d'origine -

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