APTML20UM18R010T1AG - Microsemi Corporation

Numero di parte: APTML20UM18R010T1AG
fabbricante: Microsemi Corporation
Breve descrizione: MOSFET N-CH 200V 109A SP1
Stato senza piombo / Stato RoHS: Senza piombo / RoHS
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Categoria: Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte	APTML20UM18R010T1AG
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	109A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 2.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	9880pF @ 25V
Vgs (massimo)	±30V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	480W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	19 mOhm @ 50A, 10V
temperatura di esercizio	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Chassis Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	SP1
Pacchetto / caso	SP1
Peso	-
Paese d'origine	-

Immagine	Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
	APTML202UM18R010T3AG	Microsemi Corporation	MOSFET 2N-CH 200V 109A SP3	Dettagli
	APTML20UM18R010T1AG	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 200V 109A SP1	Dettagli