APTML202UM18R010T3AG

APTML202UM18R010T3AG - Microsemi Corporation

Numéro d'article
APTML202UM18R010T3AG
Fabricant
Microsemi Corporation
Brève description
MOSFET 2N-CH 200V 109A SP3
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
409 pcs
Prix ​​de référence
USD 64.16/pcs
Notre prix
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APTML202UM18R010T3AG Description détaillée

Numéro d'article APTML202UM18R010T3AG
État de la pièce Active
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique Standard
Drain à la tension de source (Vdss) 200V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 109A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 19 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 2.5mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 9880pF @ 25V
Puissance - Max 480W
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas SP3
Package de périphérique fournisseur SP3
Poids -
Pays d'origine -

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