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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - IGBT - Singoli › APT50GS60BRDQ2G
APT50GS60BRDQ2G

APT50GS60BRDQ2G - Microsemi Corporation

Numero di parte
APT50GS60BRDQ2G
fabbricante
Microsemi Corporation
Breve descrizione
IGBT 600V 93A 415W TO247
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
APT50GS60BRDQ2G Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
-
Categoria
Transistor - IGBT - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
22612 pcs
Prezzo di riferimento
USD 11.81/pcs
Il nostro prezzo
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APT50GS60BRDQ2G Descrizione dettagliata

Numero di parte APT50GS60BRDQ2G
Stato parte Active
Tipo IGBT NPT
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 93A
Corrente - Collector Pulsed (Icm) 195A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.15V @ 15V, 50A
Potenza - Max 415W
Cambiare energia 755µJ (off)
Tipo di input Standard
Carica del cancello 235nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C 16ns/225ns
Condizione di test 400V, 40A, 4.7 Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr) 25ns
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto / caso TO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitore TO-247 [B]
Peso -
Paese d'origine -

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