| Numéro d'article | APT50GS60BRDQ2G |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| Type d'IGBT | NPT |
| Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) | 600V |
| Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 93A |
| Courant - Collecteur pulsé (Icm) | 195A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.15V @ 15V, 50A |
| Puissance - Max | 415W |
| Échange d'énergie | 755µJ (off) |
| Type d'entrée | Standard |
| Charge de porte | 235nC |
| Td (marche / arrêt) à 25 ° C | 16ns/225ns |
| Condition de test | 400V, 40A, 4.7 Ohm, 15V |
| Temps de récupération inverse (trr) | 25ns |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Paquet / cas | TO-247-3 |
| Package de périphérique fournisseur | TO-247 [B] |
| Poids | - |
| Pays d'origine | - |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | Vue |
|---|---|---|---|---|
 |
APT5010B2FLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX | Détails |
|
APT5010B2LLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX | Détails |
 |
APT5010JFLL | APT | APT5010JFLL APT SMD or Through Hole New Original Stocks | Détails |
 |
APT5010JLLU2 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 41A SOT-227 | Détails |
|
APT5010JLLU3 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 41A SOT227 | Détails |
|
APT5010JN | APT | APT5010JN APT SMD or Through Hole New Original Stocks | Détails |
|
APT5010JVR | APT | APT5010JVR APT SMD or Through Hole New Original Stocks | Détails |
|
APT5010JVRU2 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 44A SOT227 | Détails |
|
APT5010JVRU3 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 44A SOT227 | Détails |
 |
APT5010LFLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 46A TO-264 | Détails |
