| Numero di parte | APT45GP120JDQ2 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo IGBT | PT |
| Configurazione | Single |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
| Corrente - Collector (Ic) (Max) | 75A |
| Potenza - Max | 329W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.9V @ 15V, 45A |
| Corrente - Limite del collettore (max) | 750µA |
| Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 4nF @ 25V |
| Ingresso | Standard |
| Termistore NTC | No |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / caso | ISOTOP |
| Pacchetto dispositivo fornitore | ISOTOP® |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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APT45GP120B2DQ2G | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 113A 625W TMAX | Dettagli |
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APT45GP120BG | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 100A 625W TO247 | Dettagli |
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APT45GP120J | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 75A 329W SOT227 | Dettagli |
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APT45GP120JDQ2 | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 75A 329W SOT227 | Dettagli |
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APT45GR65B | Microsemi Corporation | IGBT 650V 92A 357W TO-247 | Dettagli |
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APT45GR65B2DU30 | Microsemi Corporation | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | Dettagli |
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APT45GR65BSCD10 | Microsemi Corporation | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | Dettagli |
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APT45GR65SSCD10 | Microsemi Corporation | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | Dettagli |
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APT45M100J | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 45A SOT-227 | Dettagli |
