| Numéro d'article | APT45GP120JDQ2 |
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| État de la pièce | Active |
| Type d'IGBT | PT |
| Configuration | Single |
| Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) | 1200V |
| Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 75A |
| Puissance - Max | 329W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.9V @ 15V, 45A |
| Courant - Coupure du collecteur (Max) | 750µA |
| Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce | 4nF @ 25V |
| Contribution | Standard |
| Thermistance NTC | No |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Chassis Mount |
| Paquet / cas | ISOTOP |
| Package de périphérique fournisseur | ISOTOP® |
| Poids | - |
| Pays d'origine | - |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | Vue |
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APT45GP120B2DQ2G | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 113A 625W TMAX | Détails |
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APT45GP120BG | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 100A 625W TO247 | Détails |
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APT45GP120J | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 75A 329W SOT227 | Détails |
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APT45GP120JDQ2 | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 75A 329W SOT227 | Détails |
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APT45GR65B | Microsemi Corporation | IGBT 650V 92A 357W TO-247 | Détails |
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APT45GR65B2DU30 | Microsemi Corporation | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | Détails |
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APT45GR65BSCD10 | Microsemi Corporation | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | Détails |
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APT45GR65SSCD10 | Microsemi Corporation | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | Détails |
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APT45M100J | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 45A SOT-227 | Détails |
