| Numero di parte | APT20DC120HJ |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo diodo | Single Phase |
| Tecnologia | Silicon Carbide Schottky |
| Voltage - Peak Reverse (Max) | 1200V |
| Corrente - Rettificato medio (Io) | 20A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8V @ 20A |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 400µA @ 1200V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / caso | SOT-227-4, miniBLOC |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-227 |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
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APT200GN60B2G | Microsemi Corporation | IGBT 600V 283A 682W TO247 | Dettagli |
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APT200GN60J | Microsemi Corporation | IGBT 600V 283A 682W SOT227 | Dettagli |
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APT200GN60JDQ4 | Microsemi Corporation | IGBT 600V 283A 682W SOT227 | Dettagli |
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APT200GN60JDQ4G | Microsemi Corporation | IGBT 600V 283A 682W SOT227 | Dettagli |
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APT200GN60JG | Microsemi Corporation | IGBT 600V 283A 682W SOT227 | Dettagli |
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APT200GT60JR | Microsemi Corporation | IGBT 600V 195A ISOTOP | Dettagli |
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