| Numéro d'article | APT20DC120HJ |
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| État de la pièce | Active |
| Type de diode | Single Phase |
| La technologie | Silicon Carbide Schottky |
| Tension - Peak Reverse (Max) | 1200V |
| Courant - Rectifié moyen (Io) | 20A |
| Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si | 1.8V @ 20A |
| Courant - Fuite inverse @ Vr | 400µA @ 1200V |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Chassis Mount |
| Paquet / cas | SOT-227-4, miniBLOC |
| Package de périphérique fournisseur | SOT-227 |
| Poids | - |
| Pays d'origine | - |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | Vue |
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APT200GN60J | Microsemi Corporation | IGBT 600V 283A 682W SOT227 | Détails |
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APT200GN60JDQ4 | Microsemi Corporation | IGBT 600V 283A 682W SOT227 | Détails |
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APT200GN60JDQ4G | Microsemi Corporation | IGBT 600V 283A 682W SOT227 | Détails |
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APT200GN60JG | Microsemi Corporation | IGBT 600V 283A 682W SOT227 | Détails |
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APT200GT60JR | Microsemi Corporation | IGBT 600V 195A ISOTOP | Détails |
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