| Numero di parte | APT15GP60BDQ1G |
|---|---|
| Stato parte | Not For New Designs |
| Tipo IGBT | PT |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
| Corrente - Collector (Ic) (Max) | 56A |
| Corrente - Collector Pulsed (Icm) | 65A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 15A |
| Potenza - Max | 250W |
| Cambiare energia | 130µJ (on), 120µJ (off) |
| Tipo di input | Standard |
| Carica del cancello | 55nC |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 8ns/29ns |
| Condizione di test | 400V, 15A, 5 Ohm, 15V |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / caso | TO-247-3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247 [B] |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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APT150GN120J | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 215A 625W SOT227 | Dettagli |
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APT150GN120JDQ4 | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 215A 625W SOT227 | Dettagli |
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APT150GN60B2G | Microsemi Corporation | IGBT 600V 220A 536W SOT227 | Dettagli |
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APT150GN60J | Microsemi Corporation | IGBT 600V 220A 536W SOT227 | Dettagli |
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APT150GN60JDQ4 | Microsemi Corporation | IGBT 600V 220A 536W SOT227 | Dettagli |
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APT150GN60LDQ4G | Microsemi Corporation | IGBT 600V 220A 536W TO-264L | Dettagli |
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APT150GT120JR | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 170A 830W SOT227 | Dettagli |
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APT15D100BCTG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 1000V 15A TO247 | Dettagli |
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APT15D100BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1KV 15A TO247 | Dettagli |
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APT15D100BHBG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 1000V 15A TO247 | Dettagli |
