| Numero di parte | APT15GF120JCU2 |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo IGBT | NPT |
| Configurazione | Single |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
| Corrente - Collector (Ic) (Max) | 30A |
| Potenza - Max | 156W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.7V @ 15V, 15A |
| Corrente - Limite del collettore (max) | 250µA |
| Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 1nF @ 25V |
| Ingresso | Standard |
| Termistore NTC | No |
| temperatura di esercizio | - |
| Tipo di montaggio | Chassis, Stud Mount |
| Pacchetto / caso | SOT-227-4, miniBLOC |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-227 |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
APT150GN120J | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 215A 625W SOT227 | Dettagli |
|
APT150GN120JDQ4 | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 215A 625W SOT227 | Dettagli |
 |
APT150GN60B2G | Microsemi Corporation | IGBT 600V 220A 536W SOT227 | Dettagli |
|
APT150GN60J | Microsemi Corporation | IGBT 600V 220A 536W SOT227 | Dettagli |
|
APT150GN60JDQ4 | Microsemi Corporation | IGBT 600V 220A 536W SOT227 | Dettagli |
 |
APT150GN60LDQ4G | Microsemi Corporation | IGBT 600V 220A 536W TO-264L | Dettagli |
|
APT150GT120JR | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 170A 830W SOT227 | Dettagli |
 |
APT15D100BCTG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 1000V 15A TO247 | Dettagli |
 |
APT15D100BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1KV 15A TO247 | Dettagli |
|
APT15D100BHBG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 1000V 15A TO247 | Dettagli |
