| Numero di parte | 2N5012S |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Transistor Type | NPN |
| Corrente - Collector (Ic) (Max) | 200mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 700V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.6V @ 5mA, 25mA |
| Corrente - Limite del collettore (max) | 10nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 25mA, 10V |
| Potenza - Max | 1W |
| Frequenza - Transizione | - |
| temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / caso | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-39 (TO-205AD) |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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2N5000 | Microsemi Corporation | NPN SILICON TRANSISTOR | Dettagli |
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2N5001 | Microsemi Corporation | NPN SILICON TRANSISTOR | Dettagli |
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2N5002 | Microsemi Corporation | NPN SILICON TRANSISTOR | Dettagli |
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2N5002_02 | SEMICOA | Silicon NPN Transistor | Dettagli |
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2N5003 | Microsemi Corporation | NPN SILICON TRANSISTOR | Dettagli |
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2N5003_02 | SEMICOA | Silicon PNP Transistor | Dettagli |
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2N5004 | Microsemi Corporation | NPN SILICON TRANSISTOR | Dettagli |
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2N5004_02 | SEMICOA | Silicon NPN Transistor | Dettagli |
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2N5005 | Microsemi Corporation | NPN SILICON TRANSISTOR | Dettagli |
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2N5005_02 | SEMICOA | Silicon PNP Transistor | Dettagli |
