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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln › 2N5012S
2N5012S

2N5012S - Microsemi Corporation

Artikelnummer
2N5012S
Hersteller
Microsemi Corporation
Kurze Beschreibung
TRANSISTOR NPN TO-39
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
2N5012S PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
54997 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
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2N5012S detaillierte Beschreibung

Artikelnummer 2N5012S
Teilstatus Obsolete
Transistor-Typ NPN
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 200mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 700V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1.6V @ 5mA, 25mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 10nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 25mA, 10V
Leistung max 1W
Frequenz - Übergang -
Betriebstemperatur -65°C ~ 200°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Lieferantengerätepaket TO-39 (TO-205AD)
Gewicht -
Ursprungsland -

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Bild Artikelnummer Hersteller Beschreibung Aussicht
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