| Numero di parte | 1N4305-1E3 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo diodo | Standard |
| Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 50V |
| Corrente - Rettificato medio (Io) | 200mA |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 850mV @ 10mA |
| Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 2ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100nA @ 50V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / caso | DO-204AH, DO-35, Axial |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DO-35 (DO-204AH) |
| Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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1N43 | LRC | 1N43 1N7 SERIES ZENER DIODES | Dettagli |
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1N4305 | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 75V 300MA DO35 | Dettagli |
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1N4305-1 | Microsemi Corporation | DIODE SWITCHING | Dettagli |
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1N4305-1E3 | Microsemi Corporation | DIODE SWITCHING DO-35 | Dettagli |
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1N4305TR | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 75V 300MA DO35 | Dettagli |
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1N4305_T50R | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 75V 300MA DO35 | Dettagli |
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1N4306 | EXSHINE | silicon diode | Dettagli |
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1N4307 | EXSHINE | silicon diode | Dettagli |
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1N4308 | EXSHINE | silicon diode | Dettagli |
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1N431 | EXSHINE | silicon diode | Dettagli |
