| Número de pieza | 1N4305-1E3 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de diodo | Standard |
| Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max) | 50V |
| Corriente - promedio rectificado (Io) | 200mA |
| Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 850mV @ 10mA |
| Velocidad | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 2ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 100nA @ 50V |
| Capacitancia @ Vr, F | - |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete / caja | DO-204AH, DO-35, Axial |
| Paquete de dispositivo del proveedor | DO-35 (DO-204AH) |
| Temperatura de funcionamiento - unión | -65°C ~ 150°C |
| Peso | - |
| País de origen | - |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
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1N43 | LRC | 1N43 1N7 SERIES ZENER DIODES | Detalles |
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1N4305 | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 75V 300MA DO35 | Detalles |
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1N4305-1 | Microsemi Corporation | DIODE SWITCHING | Detalles |
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1N4305-1E3 | Microsemi Corporation | DIODE SWITCHING DO-35 | Detalles |
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1N4305TR | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 75V 300MA DO35 | Detalles |
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1N4305_T50R | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 75V 300MA DO35 | Detalles |
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1N4306 | EXSHINE | silicon diode | Detalles |
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1N4307 | EXSHINE | silicon diode | Detalles |
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1N4308 | EXSHINE | silicon diode | Detalles |
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1N431 | EXSHINE | silicon diode | Detalles |
