| Numéro d'article | 1N4305-1E3 |
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| État de la pièce | Active |
| Type de diode | Standard |
| Tension - DC Reverse (Vr) (Max) | 50V |
| Courant - Rectifié moyen (Io) | 200mA |
| Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si | 850mV @ 10mA |
| La vitesse | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Temps de récupération inverse (trr) | 2ns |
| Courant - Fuite inverse @ Vr | 100nA @ 50V |
| Capacitance @ Vr, F | - |
| Type de montage | Through Hole |
| Paquet / cas | DO-204AH, DO-35, Axial |
| Package de périphérique fournisseur | DO-35 (DO-204AH) |
| Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 150°C |
| Poids | - |
| Pays d'origine | - |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | Vue |
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1N43 | LRC | 1N43 1N7 SERIES ZENER DIODES | Détails |
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1N4305 | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 75V 300MA DO35 | Détails |
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1N4305-1 | Microsemi Corporation | DIODE SWITCHING | Détails |
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1N4305-1E3 | Microsemi Corporation | DIODE SWITCHING DO-35 | Détails |
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1N4305TR | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 75V 300MA DO35 | Détails |
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1N4305_T50R | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 75V 300MA DO35 | Détails |
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1N4306 | EXSHINE | silicon diode | Détails |
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1N4307 | EXSHINE | silicon diode | Détails |
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1N4308 | EXSHINE | silicon diode | Détails |
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1N431 | EXSHINE | silicon diode | Détails |
