MT49H64M9CBM-25E:B

MT49H64M9CBM-25E:B - Micron Technology Inc.

Numero di parte
MT49H64M9CBM-25E:B
fabbricante
Micron Technology Inc.
Breve descrizione
IC RLDRAM 576MBIT 400MHZ 144UBGA
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Memoria
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1 Day
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MT49H64M9CBM-25E:B Descrizione dettagliata

Numero di parte MT49H64M9CBM-25E:B
Stato parte Obsolete
Tipo di memoria Volatile
Formato di memoria DRAM
Tecnologia DRAM
Dimensione della memoria 576Mb (64M x 9)
Frequenza di clock 400MHz
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina -
Tempo di accesso 15ns
Interfaccia di memoria Parallel
Tensione - Fornitura 1.7 V ~ 1.9 V
temperatura di esercizio 0°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 144-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore 144-µBGA (18.5x11)
Peso -
Paese d'origine -

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