| Numero di parte | MT49H64M9SJ-25E:B TR |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo di memoria | Volatile |
| Formato di memoria | DRAM |
| Tecnologia | DRAM |
| Dimensione della memoria | 576Mb (64M x 9) |
| Frequenza di clock | 400MHz |
| Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
| Tempo di accesso | 15ns |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Tensione - Fornitura | 1.7 V ~ 1.9 V |
| temperatura di esercizio | 0°C ~ 95°C (TC) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 144-TFBGA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 144-FBGA (18.5x11) |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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MT49H64M9BM-25:B | Micron Technology Inc. | IC RLDRAM 576MBIT 400MHZ 144UBGA | Dettagli |
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MT49H64M9BM-25:B TR | Micron Technology Inc. | IC RLDRAM 576MBIT 400MHZ 144UBGA | Dettagli |
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MT49H64M9CBM-25E:B | Micron Technology Inc. | IC RLDRAM 576MBIT 400MHZ 144UBGA | Dettagli |
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MT49H64M9FM-25:B | Micron Technology Inc. | IC RLDRAM 576MBIT 400MHZ 144UBGA | Dettagli |
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MT49H64M9FM-25:B TR | Micron Technology Inc. | IC RLDRAM 576MBIT 400MHZ 144UBGA | Dettagli |
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MT49H64M9FM-25E:B | Micron Technology Inc. | IC RLDRAM 576MBIT 400MHZ 144UBGA | Dettagli |
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MT49H64M9FM-25E:B TR | Micron Technology Inc. | IC RLDRAM 576MBIT 400MHZ 144UBGA | Dettagli |
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MT49H64M9SJ-25E:B | Micron Technology Inc. | IC RLDRAM 576MBIT 400MHZ 144FBGA | Dettagli |
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MT49H64M9SJ-25E:B TR | Micron Technology Inc. | IC RLDRAM 576MBIT 400MHZ 144FBGA | Dettagli |
