MT49H64M9CBM-25E:B

MT49H64M9CBM-25E:B - Micron Technology Inc.

Numéro d'article
MT49H64M9CBM-25E:B
Fabricant
Micron Technology Inc.
Brève description
IC RLDRAM 576MBIT 400MHZ 144UBGA
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
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Catégorie
Mémoire
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
4192 pcs
Prix ​​de référence
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MT49H64M9CBM-25E:B Description détaillée

Numéro d'article MT49H64M9CBM-25E:B
État de la pièce Obsolete
Type de mémoire Volatile
Format de la mémoire DRAM
La technologie DRAM
Taille mémoire 576Mb (64M x 9)
Fréquence d'horloge 400MHz
Écrire un temps de cycle - Word, Page -
Temps d'accès 15ns
Interface de mémoire Parallel
Tension - Alimentation 1.7 V ~ 1.9 V
Température de fonctionnement 0°C ~ 95°C (TC)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 144-TFBGA
Package de périphérique fournisseur 144-µBGA (18.5x11)
Poids -
Pays d'origine -

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