MCMN2012-TP - Micro Commercial Co

Numero di parte	MCMN2012-TP
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	12A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	1.2V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	32nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1800pF @ 4V
Vgs (massimo)	±10V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11 mOhm @ 9.7A, 4.5V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	DFN2020-6J
Pacchetto / caso	6-WDFN Exposed Pad
Peso	-
Paese d'origine	-

Immagine	Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
	MCMN2012-TP	Micro Commercial Co	MOSFET N-CH 20V 12A DFN202	Dettagli
	MCMNP517-TP	Micro Commercial Co	MOSFET N/P-CH 12V 6A/4.1A	Dettagli