MCMN2012-TP Descrizione dettagliata
Numero di parte |
MCMN2012-TP |
Stato parte |
Active |
Tipo FET |
N-Channel |
Tecnologia |
MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) |
20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C |
12A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) |
1.2V, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs |
32nC @ 5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds |
1800pF @ 4V |
Vgs (massimo) |
±10V |
Caratteristica FET |
- |
Dissipazione di potenza (max) |
- |
Rds On (Max) @ Id, Vgs |
11 mOhm @ 9.7A, 4.5V |
temperatura di esercizio |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio |
Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore |
DFN2020-6J |
Pacchetto / caso |
6-WDFN Exposed Pad |
Peso |
- |
Paese d'origine |
- |
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