MCMN2012-TP - Micro Commercial Co

Número de pieza	MCMN2012-TP
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	12A (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	1.2V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	32nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1800pF @ 4V
Vgs (Max)	±10V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11 mOhm @ 9.7A, 4.5V
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	DFN2020-6J
Paquete / caja	6-WDFN Exposed Pad
Peso	-
País de origen	-

Imagen	Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
	MCMN2012-TP	Micro Commercial Co	MOSFET N-CH 20V 12A DFN202	Detalles
	MCMNP517-TP	Micro Commercial Co	MOSFET N/P-CH 12V 6A/4.1A	Detalles