MCMN2012-TP Description détaillée
Numéro d'article |
MCMN2012-TP |
État de la pièce |
Active |
FET Type |
N-Channel |
La technologie |
MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension de source (Vdss) |
20V |
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C |
12A (Ta) |
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) |
1.2V, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
1V @ 250µA |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs |
32nC @ 5V |
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds |
1800pF @ 4V |
Vgs (Max) |
±10V |
FET Caractéristique |
- |
Dissipation de puissance (Max) |
- |
Rds On (Max) @ Id, Vgs |
11 mOhm @ 9.7A, 4.5V |
Température de fonctionnement |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage |
Surface Mount |
Package de périphérique fournisseur |
DFN2020-6J |
Paquet / cas |
6-WDFN Exposed Pad |
Poids |
- |
Pays d'origine |
- |
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