MCMN2012-TP - Micro Commercial Co

Numéro d'article	MCMN2012-TP
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	12A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	1.2V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	32nC @ 5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1800pF @ 4V
Vgs (Max)	±10V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11 mOhm @ 9.7A, 4.5V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	DFN2020-6J
Paquet / cas	6-WDFN Exposed Pad
Poids	-
Pays d'origine	-

Image	Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
	MCMN2012-TP	Micro Commercial Co	MOSFET N-CH 20V 12A DFN202	Détails
	MCMNP517-TP	Micro Commercial Co	MOSFET N/P-CH 12V 6A/4.1A	Détails