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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - FET, MOSFET - Singoli › IXTR200N10P
IXTR200N10P

IXTR200N10P - IXYS

Numero di parte
IXTR200N10P
fabbricante
IXYS
Breve descrizione
MOSFET N-CH 100V 120A ISOPLUS247
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
IXTR200N10P Navigazione online PDF
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
2324 pcs
Prezzo di riferimento
USD 11.4977/pcs
Il nostro prezzo
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IXTR200N10P Descrizione dettagliata

Numero di parte IXTR200N10P
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 120A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 500µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 235nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 7600pF @ 25V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8 mOhm @ 60A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore ISOPLUS247™
Pacchetto / caso ISOPLUS247™
Peso -
Paese d'origine -

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